HM-ENS系列電磁噪聲抑制片

HM-ENS系列電磁噪聲抑制片由微米級片狀合金軟磁粉與聚合物混合、分散、壓延而成，在同一平面按照同一方向相互重疊，形成核殼結(jié)構(gòu)，有害電磁噪聲與吸收介質(zhì)發(fā)生電磁共振以及渦流損耗，轉(zhuǎn)化成熱量，進而改善電磁環(huán)境。

HM-ENS系列電磁噪聲抑制片產(chǎn)品特性

HM-ENS系列電磁噪聲抑制片由微米級片狀合金軟磁粉與聚合物混合、分散、壓延而成，在同一平面按照同一方向相互重疊，形成核殼結(jié)構(gòu)，有害電磁噪聲與吸收介質(zhì)發(fā)生電磁共振以及渦流損耗，轉(zhuǎn)化成熱量，進而改善電磁環(huán)境。

厚度薄、柔性好，便于模切不同的形狀和尺寸，背膠貼合厚度0.005 mm～0.1 mm。頻率寬、吸收強，高磁導(dǎo)率對鏡面波和表面波具有良好的吸收特性，搭配導(dǎo)電布、鋁箔、銅箔導(dǎo)電材料使用，強化吸收、屏蔽效果，10 MHz～6 GHz具有優(yōu)異的電磁噪聲抑制功能。

HM-ENS系列電磁噪聲抑制片應(yīng)用領(lǐng)域

廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星導(dǎo)航、雷達、無人駕駛，5G通訊天線、通訊基站、光收發(fā)模塊，NFC天線基板、WPC無線充電、RFID射頻識別，芯片、主板、手機、筆電EMI、數(shù)碼產(chǎn)品、電子觸控屏、數(shù)據(jù)線屏蔽、接口EMC、ETC領(lǐng)域。

HM-ENS系列電磁噪聲抑制片技術(shù)參數(shù)

備注：可以根據(jù)客戶需求，采取逆向工程即逆向技術(shù)，根據(jù)MAXWELL方程，采用遺傳算法（GA），實現(xiàn)吸波材料仿真（CAD），發(fā)揮吸收介質(zhì)特性設(shè)計，縮短吸波材料研制周期，滿足客戶對于HM-ENS系列電磁噪聲抑制片的特定需求.

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